免费论文摘要：石墨烯/聚偏氟乙烯复合资料的微构造调节和控制及其本能接洽

    跟着电子摆设趋势袖珍化、便利化和多功效化目标的兴盛，电子封装本领仍旧加入高密度的体例级封装阶段。体例级封装就对制备库容器的要害资料提出具备更高介电常数和加工本能的诉求，以俭朴线路板空间和普及储能密度。在会合物中，聚偏氟乙烯（PVDF）由于具备多晶态性和高介电常数（普遍为8-10）而赢得普遍关心，在地膜库容器范围具备很大的运用和接洽价格。但是纯PVDF的介电常数还不及以满意库容器须要。基于此，正文鉴于渗流表面制备高介电常数的石墨烯/聚偏氟乙烯复合资料，经过PVDF微构造的调节和控制和石墨烯的外表化装，使所研制的PVDF基介电复合资料不妨变成嵌入式无源库容器的理念资料。    正文开始对PVDF的微构造举行调节和控制。运用溶液涂膜法治备β相PVDF地膜，经过变换先驱体溶液浓淡、处置功夫以及热压工艺调节和控制PVDF的晶型构造，接洽各别制备工艺对PVDF晶型的变革以及介电本能爆发的感化。经过FTIR、XRD、DSC和SEM对所制样本举行尝试，领会各别调节和控制前提对PVDF晶型构造产生的感化及制备β-PVDF的最好参数前提；经过阻抗领会仪尝试样本介电本能，领会晶型变革对介电本能的感化。创造先驱体溶液浓淡、拌和功夫和热压工艺对PVDF的晶型构造都有明显的感化；先驱体溶液拌和功夫的减少、溶液浓淡的减少以及热压都利于β相PVDF的产生，在先驱体溶液浓淡7%，拌和功夫2h的前提下获得最大β相含量，为81.3%。经过调节和控制PVDF的微构造，赢得了介电常数大幅普及的PVDF，100Hz介电常数最大可到达到110。    以调节和控制后的PVDF为基体，辨别以氧化石墨烯和石墨烯为增添相，经过溶液搀和法治备局部恢复的P-RGO/PVDF和RGO/PVDF复合资料。局部恢复的石墨烯因含氧官能团的生存革新其在基体中的分别性同声也会动作遏制层，经过控制载流子的自在挪动到达贬低介电耗费的手段。经过石墨烯分别性的革新和基体PVDF晶相构造的调节和控制实行普及资料介电本能的手段。复合资料的介电常数随GO增添量的增加而增大，GO增添量仅为品质分数0.5%时，100Hz下复合资料介电常数最高可达27，是纯PVDF的3倍。

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