免费论文：背入射AlGaN p-i-n太阳光盲紫外探测器的制备与接洽

AlxGa1-xN是宽禁带径直带隙半半导体资料，带隙随Al组分变革从365 nm(x=0)到200 nm(x=1)可调，是创造太阳光盲紫外探测器的理念资料。背入射AlGaN p-i-n紫外探测器能在低偏或零偏压下处事，有很高的阻抗，利于于与Si读出通路互连制形成焦平面阵列探测器。正文通讯了背入射AlxGa1-xN p-i-n太阳光盲紫外探测器的制备工艺，接洽了个中的两个要害工艺n-AlGaN和p-GaN与非金属的欧姆交战，领会了探测器的本能参数。n-Al0.42Ga0.58N与Ti/Al/Ti/Au在N2氛围下900 ℃退火30 sec后产生了欧姆交战，室温单元交战电阻RC为1.14×10-2 Ω•cm2。p-GaN与Ni/Pt在气氛氛围下630 ℃退火3 min后产生了欧姆交战，室温单元交战为3.6×10-3 Ω•cm2，这是因为Ni/Pt与p-GaN交战在气氛中退火界面处p-GaN空穴浓淡减少进而贬低灵验势垒莫大的因为，单元交战电阻随尝试温度的升高在148 K-323 K范畴内趋于呈指数低沉，表白Ni/Pt与p-GaN欧姆交战的电传播输体制按照热电子放射表面。p-GaN/p-AlGaN与Ni/Au在气氛氛围下630 ℃退火3 min后产生了欧姆交战，室温单元交战电阻为0.12 Ω•cm2。沿用一个革新工艺制备了p-GaN/p-AlGaN与Ni/Au的欧姆交战，在溅射堆积Ni时真空室里通入小批O2，电极交战在N2氛围下630 ℃退火3 min，如许赢得的室温单元交战电阻为0.104 Ω•cm2。制备的背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N 异质结 p-i-n探测器的理念因子n与串联电阻RS辨别为3和93 Ω。器件的截至射程为290 nm。在零偏压下275 nm峰值波优点的外量子功效与探测率辨别为9 %和4.98×1011 cmHz1/2W-1。结果领会了背入射Al0.42Ga0.58N/Al0.40Ga0.60N异质结p-i-n的C-V和C-f个性，以及探测器外量子功效偏低的因为。库容在广播段和高频的分辨大概是因为i区的高电阻率惹起的。从100 Hz的1/C2-V弧线获得i层的檀越浓淡为6.85×1017 cm-3，如许大的浓淡引导i层的少量载流子空穴的寿命和分散长度大地面减小，器件的耗尽层在零偏压下变窄，这是外量子功效偏低的因为之一。器件的外量子功效受n型窗口透过光谱和i层接收光谱的穿插局部感化。i区大的檀越浓淡和n型窗口层低的光谱透过率是控制器件外量子功效的两个重要因为。

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