免费论文：纳米硅地膜太阳干电池研制及其电极工艺接洽

正文引见了太阳干电池的爆发后台、兴盛过程，精细引见了各别阶段太阳干电池的国表里接洽近况、重要特性及重要接洽目标。正文中心是接洽非金属背电极堆积工艺对单结纳米硅地膜太阳干电池本能的感化机理，优化干电池背电极的堆积工艺。从而在单结干电池工艺普通上，发端制备出纳米硅地膜叠层太阳干电池。在表面上对PN结空间电荷区的磁场强度、电位散布、势垒区宽窄、结库容等参数举行了推导和计划。计划出无普照和普照前提下PN结的交流电-电压联系式，进而获得了纳米硅地膜太阳干电池的本能表征参数。丈量暗I-V个性截止表白：所制备的PN结单引导电性杰出，品德崇高，I-V弧线逼近于二极管的理念个性弧线。沿用库容-电压法领会了PN结衬底的掺杂浓淡。在绒面单晶硅衬底上，辨别沿用磁控溅射和热挥发办法，制备了一批从常温到高温系列的非金属铝电极。运用扫描电子显微镜（SEM）、四探针等尝试本领对两批电极样本举行了微观构造，电学本质的比较，试验截止表白：堆积进程中沿用加温处置，均不妨明显贬低铝膜的电阻值，地膜外表趋于平整。沟通前提下，溅射工艺赢得的地膜电阻值更低，而热挥发工艺利于于地膜外表的平整化。经过干电池的I-V尝试截止表白，挥发工艺对于干电池PN结的养护更为利于，干电池各项本能目标也鲜明优于溅射工艺下的干电池样本。沿用热挥发工艺制备干电池背电极，领会了各别堆积温度对干电池本能的感化顺序，最后获得了适于太阳干电池的背电极堆积温度。运用PECVD（等离子体体巩固型化学气相堆积）法治备出了干电池构造为grid /ITO/n-nc-Si / i-a-Si / p-c-Si/ Al的绒面纳米硅地膜太阳能干电池，其开路电压（Voc）为528mV，短路交流电（Isc）为28.8mA，变换功效（η）为7.2%。在200nm~1200nm范畴内丈量了纳米硅地膜单结太阳干电池、纳米硅地膜双结叠层太阳干电池和单晶硅太阳干电池的光谱相应。截止表白：比拟于单晶硅太阳干电池，纳米硅地膜太阳干电池的最好光谱响向短波目标爆发了挪动，其在接收看来光地区的能量上面更有上风。

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