免费论文摘要：镶嵌于介质膜中的锗纳米晶的制备及其个性接洽

本舆论接洽在硅衬底上运用磁控溅射及退火的方法治备含Ge纳米晶的SiO2复合膜。接洽退火温度，Ge含量等成分对复合膜中Ge纳米晶构造的感化。提出了超晶格的制备本领，在Si衬底上制备了镶嵌于SiOXGeNy膜中的多层Ge纳米晶，用该本领普及了Ge纳米晶的密度、尺寸及空间散布的平均性。运用X射线衍射(XRD)、拉曼(Raman)光谱、透射电子显微镜(TEM)等尝试本领接洽了所制备的含Ge纳米晶的SiO2复合膜的构造本质，得出重要论断如次：1. 应用声子限域模子对样本的Raman散射光谱举行拟合，得出纳米晶粒的尺寸。模仿弧线与试验弧线峰位有所缺点，经过XRD谱领会了复合膜的里面压应力，经领会，该压应力是形成Raman模仿弧线与试验弧线峰位偏离的重要因为。2. 退火温度对Ge纳米晶的构造有要害的感化，经过试验创造，Ge纳米晶发端结晶的温度为750℃。在沟通前提下，退火温度越高，晶粒尺寸越大。但当退火温渡过高时，晶粒的尺寸和数目都有所减小。所以要获得品质较高的复合膜，须要采用最好退火温度，由试验得出样本的最好退火温度约为900℃。3. 沟通前提下，随溅射靶中Ge含量的升高，Ge纳米晶的尺寸和数目都有所减少。当Ge含量较钟点，地膜中会有Si亚原子晶化的局面。Ge含量与最好退火温度有着规范联系，随Ge含量的减少，Ge纳米晶尺寸所能到达的极值增大，到达极值所需的退火温度增高。4. 复合膜中Ge亚原子结晶后，展示Ge(111)面包车型的士选择优秀者取向，并且退火温度越高，选择优秀者取向越鲜明。5. 初次提出用超晶格的方法治备多层Ge纳米晶，经过瓜代堆积(SiO2+Ge)层和SiOxGeNy层，获得20个双层的(SiO2+Ge)/ SiOxGeNy超晶构造。试验创造，Ge纳米晶只生存于(SiO2+Ge)层中，其尺寸遭到(SiO2+Ge)层厚薄的控制。对立于保守的在单层SiO2膜中制备的Ge纳米晶，咱们提出的超晶格本领使Ge纳米晶的密度、尺寸和空间散布都获得了很大的普及。

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