免费论文摘要：低温烧结Mg4Nb2O9微波介质陶瓷及其介电本能表征

?? 连年来，低温共烧陶瓷(LTCC)由于不妨缩小通讯体例中央电影企业股份有限公司子元件的尺寸、实行集成而被普遍关心。同声具备低介( ≤ 25)、高Q值(> 10000 GHz)的微波介质陶瓷资料因为缩小微波器件中旗号的推迟和缩小基板对旗号的接收效率，已变成连年来的接洽中心。Mg4Nb2O9微波介质陶瓷是一种具备刚玉构造的微波介电资料，它具备杰出的微波介电本能：低的介电常数(er = 12.8)和高的品德因子(Q×f = 190 000 GHz)。但是，Mg4Nb2O9较高的烧结温度( > 1 400 oC)和较大的温度谐振频次系数(τf= -77 ppm/oC)控制了它的贸易化运用。??? 为了贬低Mg4Nb2O9陶瓷的烧结温度，正文经过增添低熔点氧化学物理和低熔点玻璃来贬低其烧结温度，接洽了烧结助剂增添量对Mg4Nb2O9陶瓷的烧结本能、相构造、显微构造和微波介电本能的感化。获得了以次论断:??? (1) 掺杂20 wt% TiO2和x wt% LiF (1.0 ≤ x ≤ 8.0)不妨灵验地将Mg4Nb2O9陶瓷的烧结温度由1400 oC降至750 oC，这是因为在烧结进程中，LiF和纳米TiO2 (80 nm)所产生的低共熔物在晶界处起着液互助烧效率，个中离子代替和化学反馈经过晶格分散或界面迁徙给MN粉末供给了杰出的潮湿情况，使离子分散速度大幅普及，烧结速度加速。试验表白：Mg4Nb2O9增添20 wt% TiO2和8.0 wt% LiF陶瓷的晶粒尺寸随烧结温度的升高而长大，个中MgTiO3的产生对Mg4Nb2O9陶瓷的微波介电本能有很大的感化。一切样本都在800 oC展现出最好密度，这与品德因子Q×f的最大值32 000 GHz和对立介电常数er的最大值15.7对立应。晶格缺点、气孔和第二对立MNT陶瓷介电耗费的感化要大于晶界。MN-20 wt% TiO2-8.0 wt% LiF陶瓷750 oC烧结展现最好微波介电本能：er = 15.6，Q×f = 25 000 GHz，τf = -56 ppm/ oC。该陶瓷资料与Ag有很好的化学兼容性。??? (2) 沿用规范陶瓷工艺制备了掺杂PbO-B2O3-SiO2 (PBS)玻璃的Mg4Nb2O9微波介质陶瓷，接洽了PBS掺杂对Mg4Nb2O9微波介质陶瓷烧结动作、相构造、显微构造和微波介电本能的感化。试验截止表白PBS的掺杂不妨灵验的矫正Mg4Nb2O9陶瓷的谐振频次温度系数τf值，这与增添PbO-B2O3-SiO2后样本中第二相Pb1.5Nb2O6.5的产生相关。当PbO-B2O3-SiO2的增添量为4.0 wt%的功夫，Mg4Nb2O9微波介质陶瓷的烧结温度贬低至975 oC，进而实行Mg4Nb2O9在低温下的精致化烧结，并具备杰出的微波介电本能(er = 13.8, Q×f = 37 382GHz，τf = -16.9 ppm/oC)，希望变成新一代低温烧结基板资料。??? (3) 合成制备了0.6 MN-0.4 SrTiO3 (MNS)微波介质陶瓷，接洽了各别含量LiF掺杂对MNS陶瓷烧结动作、相构造、显微构造和微波介电本能的感化。试验截止表白，确定量LiF和SrTiO3的共通掺杂在MN陶瓷中产生第二相Sr(Mg1/3Nb2/3)O3。增添7.0 wt%的LiF不妨灵验的督促MNS陶瓷在低温下(800 oC)的精致化烧结。气孔率是感化该陶瓷介电常数变革的重要因为，第二相Sr(Mg1/3Nb2/3)O3对MN陶瓷的Q×f值与tf值感化比拟大。MNS陶瓷增添7.0 wt%的LiF在800 oC烧结的微波介电本能为er = 26.5, Q×f = 6 073 GHz，tf = -12 ppm/oC。

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