免费论文摘要：化学溶液堆积本领制备烧绿石型缓冲层的接洽

YBCO和BSCCO是可在液氮温区处事的最具适用价格的高温超半导体。对立于Bi-2223超半导体，YBCO在77 K前提下具备更好的高场本能，所以当创造在77 K安排运用的高场磁体时，YBCO带材是首要选择资料。YBCO涂层半导体是多层膜构造的复合资料，由非金属基带、缓冲层、超导层和养护层构成。已胜利制备出的高温超导涂层半导体长带所沿用的缓冲层均为多层膜构造，且均沿用了价钱高贵的真空物理堆积本领。暂时价钱高贵是遏制高温超导涂层半导体进一步适用化的瓶颈。对准缓冲层，探究多功效缓冲层资料和沿用低本钱化学溶液堆积本领(CSD)被觉得是缓冲层的将来兴盛目的。本舆论对化学溶液堆积本领制备的烧绿石型稀土锆酸盐和钼酸盐地膜举行接洽，为简化缓冲层构造和兴盛低本钱涂层导机制备本领供给试验扶助。舆论简直接洽实质如次：1. 运用化学溶液堆积本领制备RE2Zr2O7(RE=Nd,Sm)缓冲层运用化学溶液堆积本领（CSD-MOD）在YSZ单晶基片上辨别制备了La2Zr2O7、Nd2Zr2O7、Sm2Zr2O7和Gd2Zr2O7地膜，为了探究Nd2Zr2O7和Sm2Zr2O7动作高温超导涂层半导体缓冲层的大概性，试验是在实足沟通的试验前提下举行的。从地膜的组分、织构、外表形貌三方面临之上制备的四种地膜举行比拟与领会。截止证明，Nd2Zr2O7和Sm2Zr2O7具备动作高温超导涂层半导体缓冲层的潜能。为了观察Nd2Zr2O7和Sm2Zr2O7地膜动作缓冲层的本领，沿用便宜高效的全溶液法在YSZ/NZO和YSZ/SZO沙盘上连接制备了CeO2晶格配合层和YBCO超导层。YSZ/Nd2Zr2O7/CeO2/YBCO超导层的（006）衍射峰的动摇弧线的FWHM值为0.84°，外表精致润滑，没有孔洞和裂纹，变化温度宽窄△Tc较窄证明样本品德较好，临界交流电密度Jc=0.8MA/cm2，由此不妨估计Nd2Zr2O7缓冲层很有兴盛出息。YSZ/Sm2Zr2O7/CeO2/YBCO超导层（006）衍射峰的动摇弧线的FWHM值为3.02°，外表没有孔洞和裂纹，但展示了a轴晶粒，外表不够平坦精致。Sm2Zr2O7与Nd2Zr2O7比拟较，Nd2Zr2O7越发适于用作缓冲层。在具备双轴织构的Ni-5at%W非金属基带上制备Nd2Zr2O7或Sm2Zr2O7地膜是试验的最后手段。经过对热处置参数的优化，在Ni-5at%W衬底上制备具备杰出取向Nd2Zr2O7地膜的最好热处置工艺为：室温加热到300℃常温1h而后连接加热到1000℃常温3h。制备具备杰出取向Sm2Zr2O7地膜的较佳热处置工艺为：室温加热到1000℃常温3h而后天然冷却。样本一直居于震动的Ar-4%H2恢复氛围中，气体风速为2.2×10-2m·s-1。同声证明了烧绿石型构造资料动作缓冲层的适用化厚薄应为60-70nm。2．化学溶液堆积本领制备RE2Mo2O7(RE=Nd,Sm,Gd)缓冲层在Ni-5at%W非金属衬底上制备具备c轴织构的Nd2Mo2O7地膜的工艺为：沿用乙酰盐酸安非拉酮钕和乙酰盐酸安非拉酮合钼酰动作先驱物，丙醇和丙酸（体积比为3:2）搀和溶剂制备总阳离子浓淡为0.4M先驱溶液。将先驱溶液旋涂在非金属Ni-5at%W合金衬底上，Ar-4%H2氛围下350℃的温度预领会1h后1000℃温度下结晶2h。同声经过试验表明：乙酰盐酸安非拉酮这种溶剂的运用倒霉于地膜的结晶化和取向成长。在YSZ单晶衬底上制备具备c轴织构的Sm2Mo2O7地膜的工艺为：沿用乙酰盐酸安非拉酮钐和乙酰盐酸安非拉酮合钼酰动作先驱物，丙醇与丙酸溶剂体积配比为2:3前提下制备总阳离子浓淡为0.4M的先驱溶液，将先驱溶液旋涂于YSZ单晶衬底上，氩气氛围下500℃的温度预领会1h后1000℃温度下结晶2h。一致地，制备具备简单Gd2Mo2O7相且具备c轴织构的Gd2Mo2O7地膜的制备工艺如次：沿用乙酰盐酸安非拉酮钐和乙酰盐酸安非拉酮合钼酰动作先驱物，丙醇与丙酸溶剂体积配比为4:1前提下制备总阳离子浓淡为0.4M的先驱溶液，将先驱溶液旋涂于YSZ单晶衬底上，氩气氛围下500℃的温度预领会1h后1000℃温度下结晶2h。同声经过试验创造：搀和溶剂中的溶剂配比和热处置氛围会感化地膜的取向成长。

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