免费论文摘要：各别一维构造SnO2低温CVD可控合成及其场放射和染料敏化太阳能干电池本能

沿用低温化学气相堆积法(CVD)，在FTO导热玻璃衬底上制备了SnO2纳米锥和纳米管阵列。接洽了FTO导热玻璃衬底上SnO2纳米锥阵列的场放射(FE)本能。鉴于SnO2纳米锥阵列修建了DSC，并尝试了关系本能。那些接洽为SnO2纳米资料的的制备和关系本能的接洽运用供给了确定表面普通。简直接洽截止如次所述：(1) SnO2纳米锥阵列的制备及其场放射、光电导本能经过低温CVD法，以SnCl2·2H2O和ZnCl2的搀和物(SnCl2·2H2O同ZnCl2品质比为1：1)为源物资，在马弗炉600 oC下反馈，在FTO玻璃衬底上制备了莫大取向的SnO2纳米锥阵列。经过反馈功夫的变换实行了各别尺寸SnO2纳米锥阵列的可遏制备，提出了大概的成长机理，接洽了各别尺寸SnO2纳米锥阵列的场放射本能，并与已通讯SnO2其余纳米构造的场放射本能举行了比拟。截止表白，竖立SnO2纳米锥阵列具备巩固的场放射本能，其在制备场放射器件上面有着潜伏的运用。接洽了各别尺寸SnO2纳米锥阵列的光电本能，截止表白尺寸小的锥具备更好的本能。(2) SnO2纳米管阵列的制备经过低温CVD法，以SnCl2·2H2O和ZnCl2的搀和物(SnCl2·2H2O同ZnCl2品质比为1：12)为源物资，在马弗炉600 oC下反馈1h，在FTO玻璃衬底上制备了莫大取向的SnO2纳米管阵列。提出了大概的成长机理。             (3) SnO2纳米锥阵列用作光阳极修建DSC鉴于SnO2纳米锥阵列用作光阳极，N719为染料、含I3-/I-电子对的乙醇溶液为电解质，修建了染料敏化太阳能干电池。接洽并尝试了其I-V弧线，计划了其光电变化率。

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