免费论文摘要：硅地膜椭偏表征接洽及其太阳干电池制备中的运用

太阳干电池动作要害的可复活动力，其要害性日益遭到列国当局的关心。在情况题目和动力题目的感化和寰球列国当局的关心下太阳干电池财产赢得了飞快的兴盛。椭偏丈量具备非妨害性，非扰动性，非刻薄性，丈量的精巧度和精度高，不妨同声丈量地膜资料的光学参数和厚薄等便宜，其在半半导体产业和地膜产业中具备普遍的运用。 正文引见了HIT干电池的制备工艺，说领会各别N层和I层硅地膜厚薄对HIT干电池本能的感化，并领会了其因为，阐明了硅地膜厚薄的精确丈量和遏制对制备HIT干电池的要害性。在引见椭偏丈量的基础表面的普通上，从琼斯矩阵表面动身推导了PCSAD构造的椭偏仪的消光前提，领会了起偏器，检偏器，积累器的方位角缺点和元件缺点对椭偏参数的感化，计划了1/4波片的本质推迟观点为95度和入射观点偏离时对各别样本椭偏参数丈量的感化和消光观点的感化，指出了矫正入射角的方法。 在引见简单形探求算法，模仿退火算法，粒子群算法等优化算法的道理和运用的普通上，商量了抛光硅片上的氧化层、抛光硅片上的硅地膜、K9玻璃上的硅地膜这三种样本范例的椭偏丈量和数据建立模型求解特性。充溢运用了单观点丈量、双观点、三观点、十观点，透射和椭偏贯串等本领，辨别接洽了对其数据建立模型领会的范例。结果觉得硅片上的氧化层椭偏丈量符合沿用拟合厚薄的本领来处置，处置椭偏振光谱数据是须要商量精细层，透射和椭偏贯串的本领最符合丈量较薄的硅地膜。 中心领会了5min的I层硅地膜的样本，领会了十观点下厚薄丈量的不决定性，其独一性区间巨细为16nm。沿用椭偏和透射贯串的本领丈量时，其厚薄独一性区间巨细降至0.02nm，丈量的厚薄为30.46nm。沿用椭偏和透射贯串的本领领会了一系列K9玻璃上的I层和N层硅地膜，胜利表征了厚薄在5nm～60nm之间的硅地膜，I层的反射率变革范畴普遍在2.8～3.8之间，消光系数变革范畴在0.03～0.12之间。N层的反射率的变革范畴2.8～4.0，消光系数的变革范畴为0.04～0.13。

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