免费论文摘要：几种宽禁带半半导体一维纳米资料的制备及本能接洽

一维半半导体纳米构造因其具备一系列崇高的本能而遭到普遍关心。氧化镓(Ga2O3)、氮化镓(GaN)和氧化锌(ZnO)都是要害的宽禁带半半导体资料，它们的带隙辨别在4.9 eV，3.39 eV，3.2 eV。正文运用一种大略气差异应法治备了氧化镓一维纳米构造，比拟于保守的气差异应法，该本领最大的便宜在乎试验不妨在常压下举行，而且不须要催化剂的扶助。氧化镓一维纳米产品不妨经过试验参数举行安排。接洽截止表白，反馈氛围对试验截止的感化特殊要害。样本的成长体制不是驰名的VLS体制，而是一致于VS体制的气相外延进程。对氧化镓样本举行了紫外光相应本能的尝试，尝试截止表明样本具备紫外光相应个性，并且具备较短的紫外光相应功夫以及回复功夫。经过对样本通路的串联安排，创造其紫外光相应个性再有进一步提高的空间。运用化学气差异应法治备了氮化镓纳米线，并对其构造、形貌以及因素举行了表征，结果还对纳米线的成长进程举行了计划，觉得在成长进程中VLS体制和VS体制是并存的。在已制备出的氮化镓纳米线上堆积了氧化锌，经过领会发端确定所得产品为氮化镓-氧化锌核壳构造。

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