免费论文摘要：硼化锆-碳化硅基超高温陶瓷低氧分压下氧化动作接洽

因为近空间遨游器和超大声速遨游器热防备体例兴盛的需要，超高温陶瓷迩来被普遍接洽。硼化锆-碳化硅陶瓷因具备高熔点（>3000 ℃），对立较低的密度（6.09 g/cm3），崇高的高温板滞本能等被看作最有运用远景的超高温陶瓷。但是高温抗氧化本能是控制硼化锆-碳化硅基超高温陶瓷普遍运用的重要成分，对其高温氧化动作的接洽将无助于于激动资料本质运用。固然对于硼化锆-碳化硅体制已有普遍的接洽，因为氧化进程中波及搀杂的物生化学变革，以是仍生存洪量科学题目亟待处置。其余，因其特殊的从军情况确定了其氧化动作各别于普遍情况下的陶瓷资料，但是对于资料在近空间情况中的氧化动作及氧化体制仍不领会。本舆论对准硼化锆-碳化硅陶瓷资料的高温氧化题目，以资料常压氧化动作为普通，辨别领会了近空间特殊的低氧分压下和低总压下氧化进程中资料的微观构造演化进程，并沿用热力学和能源学本领揭穿了资料氧化的体制，商量了感化资料低氧分压和低总压下氧化动作的成分。经过遏制氮气和氧气的流量比来赢得憧憬的氧分压和总压，对资料在低氧分压下的氧化动作举行了深刻接洽，接洽中沿用XRD，SEM，EDS对试样举行关系表征和尝试，商量了总压、氧分压及资料化学构成对资料在低氧分压下氧化动作的感化。接洽截止表白氧分压对资料的氧化动作具备明显的感化。跟着氧分压的贬低，资料ZrB2-SiC的高温抗氧化本能巩固，而且低氧分压下SiC的活性氧化加重；经过对各别氧分压下样本单元表面积品质变革弧线举行领会，赢得了低氧分压下硼化锆-碳化硅陶瓷的氧化能源学参数，贯串其氧化后的外表和断面构造，领会表白当氧分压在1 kPa-1.5 kPa之间，资料能源学进程由反馈遏制体制向分散遏制体制变化。进一步接洽创造，在低氧分压下资料的化学构成明显感化ZrB2-SiC陶瓷的氧化动作。氧分压是确定SiC氧化情势的重要成分；常压下SiC含量增大无助于于革新资料的抗氧化本能，低氧分压下凑巧差异。其余，接洽发此刻低总压下，ZrB2-SiC复合陶瓷资料的抗氧化本能跟着总压的贬低而缩小。常压下高SiC含量不妨普及ZrB2-SiC资料的抗氧化本能，然而在低总压下高SiC含量倒霉于资料的抗氧化本能；按照资料氧化后品质增量和氧化层厚薄随功夫的变革证明ZrB2-SiC资料在低总压下，所有能源学进程适合抛物线顺序。

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