免费论文摘要：高本能Bi2Te3基热电地膜资料及其器件接洽

碲化铋基合金是暂时最佳的室温热电资料，大普遍热电制冷器件均沿用该类资料。经过掺杂可优化资料的载流子浓淡和迁徙率，进而提高其热电本能，但提高幅度有限。而低维纳米化是提高其热电本能的另一条要害道路，特出的纳米构造会对载流子和声子的输运爆发感化，经过安排优化资料的微观构造可大幅提高其热电本能。Bi2Te3基地膜可灵验引入特出纳米构造，为了减少传感器等的相应速率，也需将资料做出地膜。所以，Bi2Te3基地膜具备较高的接洽价格。本舆论以Bi2Te3基地膜为接洽东西，对准暂时其热电本能较低的题目，经过优化地膜的因素与构造来提高其热电本能。简直是沿用磁控溅射法，在各别基底上制备了n型Bi2Te3地膜和p型Bi0.5Sb1.5Te3地膜。经过安排溅射办法、堆积温度、退火功夫、溅射功率和处事气压等工艺参数来优化地膜的因素与构造，并尝试了地膜的热电本能。运用n型Bi2Te3或p型Bi0.5Sb1.5Te3合金靶在高温下溅射，可使地膜具备层状构造和(00l)晶面包车型的士选择优秀者定向性，利于面内热电本能的巩固，但高温下Te的蒸发控制了热电本能的进一步提高。沿用Bi2Te3与Te双靶共溅射或Bi0.5Sb1.5Te3与Sb、Te三靶共溅射的办法后，地膜的因素获得了灵验的遏制。同声符合功夫的退火、较高的处事气压及共溅射的办法均利于地膜(00l)晶面选择优秀者定向性的巩固和热电本能的提高。所以，灵验遏制(00l)晶面选择优秀者定向成长是提高Bi2Te3基资料热电本能的要害道路。同声，地膜中的特出层状构造引入了洪量晶界，减少了对声子的散射，利于热导率的贬低。进一步沿用最优的n型Bi2Te3地膜和p型Bi0.5Sb1.5Te3地膜，创造了两种各别构造的串联型和串联型地膜热电器件，并尝试了器件的制冷本能。安排的串联型地膜热电器件的制冷本能更优，且其构造更实用于对具备高热流密度的微芯片举行制冷。

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